NANDFLASH编程实现研究分析

liyf · 发表于 2018-4-24 22:07:05

NAND FLASH编程实现研究分析
陆林燕,王鲁静,郑正奇
(华东师范大学电子系,上海200062)
摘　要:以阐明编程支持NAND FLASH 的方法为目的。总览了NAND FLASH 层次结构;讨论了NAND FLASH 的写操作
过程,这种写操作的特点也是FLASH 有别于其它存储介质的地方,同时也对NAND FLASH 的擦除操作做了介绍;在对整
体的框架和特点有了了解之后,进一步对编程支持NAND FLASH 的过程中会遇到的一些概念和细节给出了具体的说明。
对NAND FLASH 的编程支持有一定的复杂性,但只要了解了它的工作方式,也并非难事。
关键词:NAND FLASH;写操作;地址转换;ECC 校验
中图分类号: TP311 　　　　　　文献标识码:A 　　　　　　　文章编号: 1673 - 629X(2008) 03 - 0118 - 03

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