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[待整理] 2B-3E恒温晶振对TD-SCDMA时钟性能影响分析

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发表于 2014-10-11 11:31:31 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
TD-SCDMA系统时钟指标
  TD-SCDMA基站的时间同步需求描述见技术规范3GPP TR 25.836,要求提供NodeB的物理层(码、帧、时隙)同步,保证所有NodeB同时发送同时接收,相位精度为<1.5&mu;s;如果时间同步超过3&mu;S将出现小区同步失败,导致业务中断。
  影响时钟保持指标关键器件——晶振的重要指标
  保持模式下的漂移= 晶振的日老化+晶振日波动+晶振温度漂移+电源特性漂移
  其中晶振日波动漂移是由于环境温度在24小时存在大约±2度的变化导致晶振温度补偿超前或滞后带来的频率变化,主要取决于晶振的温度特性。
  另外晶振供电电源如果采取波动较小的LDO供电,且电源特性漂移相比日老化及温度漂移要小很多,可以忽略。
  所以保持模式下漂移的主要影响因素 = 晶振的日老化+ 晶振温度漂移
  两种晶振指标在时钟板上的保持指标
  第一种2B晶振: 温度稳定度3E-9(-30~70℃) 年老化3E-8日老化3E-10
  第二种3E晶振: 温度稳定度5E-8(-30~70℃) 年老化1E-7日老化1E-9
  不做算法优化
  一般在有空调的密闭环境下,24小时的环境温度变化大约为±2度, 5小时的环境温度变化大约为1度。
  对于2B晶振
  温度漂移=(3E-9/(30+70))*1=0.3E-10
  5小时老化漂移= (3E-10/24)*5=0.63E-10
  所以保持指标达到1.5&mu;S的小时=((1.5*10E10/10E6)/(60*60) ) / (0.3+0.63)=4.5H
  即:使用2B晶振在不做算法优化下,时钟只能保持4.5个小时漂移在1.5&mu;S以内。
  对于3E晶振
  温度漂移=(5E-8/(30+70))*1=5E-10
  5小时老化漂移= (1E-9/24)*5=2.1E-10
  所以保持指标达到1.5&mu;S的小时=((1.5*10E10/10E6)/(60*60) ) / (5+2.1)=0.6H
  即:使用3E晶振在不做算法优化下,时钟只能保持0.6个小时漂移在1.5&mu;S以内。
  做算法优化
  算法优化分为温度特性优化以及老化率优化。
  晶振的温度特性漂移速度以及漂移量取决于晶振所处的环境温度点、环境的温变速度、设备机箱的温度传递速度以及晶体的迟滞特性, 晶振频率漂移与温度变化的关系类似于一个加速阻尼振荡,是个5次函数关系,而温度传感器对于温度变化的响应速度是非常快的,如要简单依赖温度传感器对晶振的温度特性做优化,会带来温度补偿超前或滞后,导致频率晃动加上,短稳、抖动指标都将恶化,而且优化系统很难预知其他温度点晶振的漂移值。
  在晶振通电稳定后,晶体的老化漂移呈现非常有规律且重复性非常好的类抛物曲线,采取简单的线性补偿就可以提升1~2个数量级。如要对晶振老化漂移优化,需要得到晶振在上级时钟良好、时钟板处于锁定状态下的漂移,通过读取锁定电压值即可。 需要特别注意的是,这个锁定值会在晶振老化漂移的基础上叠加晶振温度特性的影响,如果晶振温度漂移特性超过老化漂移时,即便采取平滑手段也很难得到老化真正的漂移特性,或者得到的不够准确,也会带来晶振老化优化提升不足。
  总之,晶振良好的温度特性不仅可以极大减小晶振受温度影响的漂移量,也可以实现晶振老化优化2个数量级。
  同样,一般在有空调的密闭环境下,24小时的环境温度变化大约为±2度, 5小时的环境温度变化大约为1度。
  对于2B晶振
  温度漂移=(3E-9/(30+70))*1=0.3E-10
  12小时老化漂移= (3E-10/24)*12/100=0.02E-10
  所以保持指标达到1.5&mu;S的小时=((1.5*10E10/10E6)/(60*60) ) / (0.3+0.015)=13.2H
  即:使用2B晶振在做算法优化的前提下,时钟可以保持13.2个小时漂移在1.5&mu;S以内。
  对于3E晶振(由于温度特性过于差,导致老化优化只能大约提升1个数量级)
  温度漂移=(5E-8/(30+70))*1=5E-10
  5小时老化漂移= (1E-9/24)*5/10=0.21E-10
  所以保持指标达到1.5&mu;S的小时=((1.5*10E10/10E6)/(60*60) ) / (5+0.21)=0.8H
  即:使用3E晶振在做算法优化的前提下,时钟只能保持0.8个小时漂移在1.5&mu;S以内。
  本文小结
  从上述计算结果可以看出不论是否采取时钟优化手段,晶振良好的温度稳定度对时钟保持指标其到至关重要的作用。此外,晶振的温度特性取决于晶振的控温/补偿精度,所占晶振的成本大约10%,基本上取决于晶振厂家的设计水准。
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