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[待整理] 安森美半导体为DDR3存储器模块应用推出集成EEPROM的温度传感器

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发表于 2014-10-11 16:21:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出来自近期收购Catalyst半导体而得的温度传感器新产品线的第二款产品——CAT34TS02。这新器件结合了12位(另加标记位)数字输出温度传感器和2千比特(Kb)串行存在检测(SPD)电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),用于高速个人电脑(PC)和膝上型电脑、显卡、服务器、电信设备和基站、环境控制系统及工业处理控制设备中的第三代双倍数据率(DDR3)应用。

        CAT34TS02符合电子元件工业联合会(JEDEC)的JC42.4规范,在3.0至3.6伏(V)器件电源电压范围内,75°C至95°C和+20°C至+100°C工作温度范围时分别提供±1°C和±3°C的温度传感精度。它能够每秒测量和记录系统温度近10次,并将相关读数与内部存储器寄存器中存储的3个触发限制值进行比较。主系统能够通过I2C/SMBus接口检索读数,而开漏事件引脚会发出高出限制值或低于限制值条件的信号。

        对于通用温度传感器应用而言,将温度传感器与非易失性EEPROM集成在一起,消除了使用外部存储器来存储传感器和阈值配置信息的需要。此外,CAT34TS02的非易失性存储器在上电时会保留定制配置传感器和阈值,从而提供简单、节省空间和高性价比的解决方案。

        集成的2 Kb SPD EEPROM内部组织为16页,每页16字节,总计256字节。这EEPROM具有16字节页写缓冲,支持标准(100 kHz)和快速(400 kHz) I2C协定,并具备所有DDR3双列直插存储器模块(DIMM)定义为标准的永久及可逆软件写保护功能。

产品特性

• 12位数字温度传感器,带2 Kb集成串行存在检测(SPD) EEPROM
• 符合JEDEC针对DDR3 DIMM存储器模块的JC42.4规范
• 工作温度范围:+20°C至+100°C
• 电源电压:3.0 V至3.6 V
• I2C/SMBus接口
• 封装:8焊垫TDFN (2 mm x 3 mm)




关于安森美半导体(ON Semiconductor)

        安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)拥有跨越全球的物流网络和强大的产品系列,是电源、汽车、通信、计算机、消费产品、医疗、工业、手机和军事/航空等市场客户之首选高性能、高能效硅解决方案供应商。公司广泛的产品系列包括电源、模拟、数字信号处理器(DSP)、混合信号、先进逻辑、时钟管理、非易失性存储器和标准元器件。公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯,并在北美、欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂、销售办事处和设计中心的业务网络。欲查询公司详情,请浏览安森美半导体网站:www.onsemi.com.cn。
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