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标题: 安森美半导体为DDR3存储器模块应用推出集成EEPROM的温度传感器 [打印本页]

作者: admin 时间: 2014-10-11 16:21
标题: 安森美半导体为DDR3存储器模块应用推出集成EEPROM的温度传感器
安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出来自近期收购Catalyst半导体而得的温度传感器新产品线的第二款产品——CAT34TS02。这新器件结合了12位(另加标记位)数字输出温度传感器和2千比特(Kb)串行存在检测(SPD)电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，用于高速个人电脑(PC)和膝上型电脑、显卡、服务器、电信设备和基站、环境控制系统及工业处理控制设备中的第三代双倍数据率(DDR3)应用。

      CAT34TS02符合电子元件工业联合会(JEDEC)的JC42.4规范，在3.0至3.6伏(V)器件电源电压范围内，75°C至95°C和+20°C至+100°C工作温度范围时分别提供±1°C和±3°C的温度传感精度。它能够每秒测量和记录系统温度近10次，并将相关读数与内部存储器寄存器中存储的3个触发限制值进行比较。主系统能够通过I2C/SMBus接口检索读数，而开漏事件引脚会发出高出限制值或低于限制值条件的信号。

      对于通用温度传感器应用而言，将温度传感器与非易失性EEPROM集成在一起，消除了使用外部存储器来存储传感器和阈值配置信息的需要。此外，CAT34TS02的非易失性存储器在上电时会保留定制配置传感器和阈值，从而提供简单、节省空间和高性价比的解决方案。

      集成的2 Kb SPD EEPROM内部组织为16页，每页16字节，总计256字节。这EEPROM具有16字节页写缓冲，支持标准(100 kHz)和快速(400 kHz) I2C协定，并具备所有DDR3双列直插存储器模块(DIMM)定义为标准的永久及可逆软件写保护功能。

产品特性

• 12位数字温度传感器，带2 Kb集成串行存在检测(SPD) EEPROM
• 符合JEDEC针对DDR3 DIMM存储器模块的JC42.4规范
• 工作温度范围：+20°C至+100°C
• 电源电压：3.0 V至3.6 V
• I2C/SMBus接口
• 封装：8焊垫TDFN (2 mm x 3 mm)

关于安森美半导体(ON Semiconductor)

安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)拥有跨越全球的物流网络和强大的产品系列，是电源、汽车、通信、计算机、消费产品、医疗、工业、手机和军事/航空等市场客户之首选高性能、高能效硅解决方案供应商。公司广泛的产品系列包括电源、模拟、数字信号处理器(DSP)、混合信号、先进逻辑、时钟管理、非易失性存储器和标准元器件。公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯，并在北美、欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂、销售办事处和设计中心的业务网络。欲查询公司详情，请浏览安森美半导体网站：www.onsemi.com.cn。

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