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标题: IR推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列 [打印本页]

作者: admin 时间: 2014-10-11 13:05
标题: IR推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列
功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。

      新器件的封装电流额定值达到195A，比典型封装电流额定值高出60%。新款MOSFET具有更低的导通电阻 (RDS (on)) ，并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封装。此外，7 管脚D2PAK封装的电流额定值达到240A的卓越水平，使它成为市场上最耐用的表面贴装封装之一。这种7管脚D2PAK封装比D2PAK封装具更低的RDS (on) 。

      IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“这些封装提供的更高电流额定值有助于利用不需要的瞬态提供更多防护频带，而且还能让数枚MOSFET分享高电流的平行式拓扑得以减少器件数目。”

      全新N信道MOSFET系列提供60V至200V的电压，并达到工业级别及湿度敏感度第一阶(MSL1) 标准。新器件均不含铅及符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。

IR简介

国际整流器公司 (简称IR，纽约证交所代号IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

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