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标题: 电源设计小贴士28：估算热插拔MOSFET的瞬态温升——第1部分 [打印本页]

作者: admin 时间: 2014-10-11 10:26
标题: 电源设计小贴士28：估算热插拔MOSFET的瞬态温升——第1部分
在本电源设计小贴士以及下次的小贴士中，我们将研究一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法。热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流。这样做的目的是防止总线电压下降以及连接设备运行中断。通过使用一个串联组件逐渐延长新连接电容负载的充电时间，热插拔器件可以完成这项工作。结果，该串联组件具有巨大的损耗，并在充电事件发生期间产生温升。大多数热插拔设备的制造厂商都建议您查阅安全工作区域 (SOA) 曲线，以便设备免受过应力损害。图 1 所示 SOA 曲线显示了可接受能量区域和设备功耗，其一般为一个非常保守的估计。MOSFET 的主要忧虑是其结温不应超出最大额定值。该曲线以图形的形式向您表明，由于设备散热电容的存在它可以处理短暂的高功耗。这样可以帮助您开发一个精确的散热模型，以进行更加保守、现实的估算。

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